ਡੀਟੇਕਟਰ ਫੈਕਟਰੀ, ਸਪਲਾਇਰ - ਚੀਨ ਡਿਟੈਕਟਰ ਨਿਰਮਾਤਾ

355nm APD

ਇਹ Si avalanche photodiode ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵੱਡੀ ਫੋਟੋਸੈਂਸਟਿਵ ਸਤਹ ਅਤੇ ਵਧੀ ਹੋਈ UV ਹੈ।ਇਹ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
800nm APD

ਇਹ Si avalanche photodiode ਹੈ ਜੋ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 800nm ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
905nm APD

ਇਹ Si avalanche photodiode ਹੈ ਜੋ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 905nm ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
1064nm APD

ਇਹ Si avalanche photodiode ਹੈ ਜੋ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 1064nm ਹੈ।ਜਵਾਬਦੇਹੀ: 1064 nm 'ਤੇ 36 A/W।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
1064nm APD ਮੋਡੀਊਲ

ਇਹ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਦੇ ਨਾਲ ਐਨਹਾਂਸਡ Si avalanche photodiode ਮੋਡੀਊਲ ਹੈ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਣ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
InGaAs APD ਮੋਡੀਊਲ

ਇਹ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਵਾਲਾ ਇੰਡੀਅਮ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਐਵਲੈਂਚ ਫੋਟੋਡਿਓਡ ਮੋਡੀਊਲ ਹੈ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਣ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਚਾਰ-ਚੌਥਾਈ APD

ਇਸ ਵਿੱਚ Si avalanche photodiode ਦੇ ਚਾਰ ਸਮਾਨ ਯੂਨਿਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜੋ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 980nm ਹੈ।ਜਵਾਬਦੇਹੀ: 1064 nm 'ਤੇ 40 A/W।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਚਾਰ-ਚੌਥਾਈ APD ਮੋਡੀਊਲ

ਇਸ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਦੇ ਨਾਲ Si avalanche photodiode ਦੀਆਂ ਚਾਰ ਸਮਾਨ ਇਕਾਈਆਂ ਹਨ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਕਰੰਟ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਣ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
850nm Si PIN ਮੋਡੀਊਲ

ਇਹ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਵਾਲਾ 850nm Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਮੋਡੀਊਲ ਹੈ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
900nm Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ

ਇਹ Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਹੈ ਜੋ ਉਲਟਾ ਪੱਖਪਾਤ ਅਧੀਨ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 930nm ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
1064nm Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ

ਇਹ Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਹੈ ਜੋ ਉਲਟਾ ਪੱਖਪਾਤ ਅਧੀਨ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 980nm ਹੈ।ਜਵਾਬਦੇਹੀ: 1064 nm 'ਤੇ 0.3A/W।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਫਾਈਬਰ ਸੀ ਪਿੰਨ ਮੋਡੀਊਲ

ਆਪਟੀਕਲ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਇਨਪੁਟ ਕਰਕੇ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।Si PIN ਮੋਡੀਊਲ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਦੇ ਨਾਲ ਹੈ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ