900nmPIN ਸਿੰਗਲ ਟਿਊਬ ਸੀਰੀਜ਼
| ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ (＠Ta＝22±3℃) | ||||||||
| ਮਾਡਲ | GT101Φ0.2 | GT101Φ0.5 | GT101Φ1 | GT101Φ2 | GT101Φ4 | GD3251Y | GT101Φ8 | GD3252Y |
| ਪੈਕੇਜ ਫਾਰਮ | ਕੋਐਕਸ਼ੀਅਲ ਟਾਈਪ I, 5501, TO-46, ਪਲੱਗ-ਇਨ ਕਿਸਮ | TO-5 | TO-8 | TO-8 | TO-8 | TO-8 | ||
| ਪ੍ਰਕਾਸ਼-ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਸਤਹ ਦਾ ਆਕਾਰ (ਮਿਲੀਮੀਟਰ) | Φ0.2 | Φ0.5 | Φ1.0 | Φ2.0 | Φ4.0 | Φ6.0 | Φ8.0 | 5.8×5.8 |
| ਸਪੈਕਟ੍ਰਲ ਜਵਾਬ ਸੀਮਾ (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 |
| ਪੀਕ ਜਵਾਬ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ (nm) | 930 | 930 | 930 | 930 | 930 | 930 | 930 | 930 |
| ਜਵਾਬਦੇਹੀ λ=900nm(A/W) | 0.63 | 0.63 | 0.63 | 0.63 | 0.63 | 0.63 | 0.63 | 0.63 |
| ਗੂੜ੍ਹਾ ਮੌਜੂਦਾ VR==15V(nA) | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.5 | 1.0 | 10 | 3.0 | 10 |
| ਰਾਈਜ਼ ਟਾਈਮ ਇਨਪੁਟ=900nm VR=15V RL=50Ω(ns) | 4 | 5 | 5 | 7 | 10 | 20 | 20 | 25 |
| ਜੰਕਸ਼ਨ ਸਮਰੱਥਾ VR=15V, f=1MHz(pF) | 0.8 | 1.2 | 2.0 | 6.0 | 20.0 | 30 | 70.0 | 35 |
| ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ (V) | > 200 | > 200 | > 200 | > 200 | > 200 | > 200 | > 200 | > 200 |
ਪਲੈਨਰ ਆਰਥੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਬਣਤਰ
ਘੱਟ ਹਨੇਰਾ ਕਰੰਟ
ਉੱਚ ਜਵਾਬਦੇਹੀ
ਉੱਚ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ
ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਸੰਚਾਰ, ਸੈਂਸਿੰਗ, ਰੇਂਜਿੰਗ
ਨਜ਼ਦੀਕੀ-ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਰੇਂਜ ਤੋਂ ਦਿਖਣਯੋਗ ਵਿੱਚ ਲਾਈਟ ਖੋਜ
ਫਾਸਟ ਲਾਈਟ ਪਲਸ ਡਿਟੈਕਸ਼ਨ
ਵੱਖ-ਵੱਖ ਉਦਯੋਗਿਕ ਕੰਟਰੋਲ ਸਿਸਟਮ
ਪਲੈਨਰ ਆਰਥੋਗ੍ਰਾਫਿਕ ਬਣਤਰ
ਘੱਟ ਹਨੇਰਾ ਕਰੰਟ
ਉੱਚ ਜਵਾਬਦੇਹੀ
ਉੱਚ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ
ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਸੰਚਾਰ, ਸੈਂਸਿੰਗ, ਰੇਂਜਿੰਗ
ਨਜ਼ਦੀਕੀ-ਇਨਫਰਾਰੈੱਡ ਰੇਂਜ ਤੋਂ ਦਿਖਣਯੋਗ ਵਿੱਚ ਲਾਈਟ ਖੋਜ
ਫਾਸਟ ਲਾਈਟ ਪਲਸ ਡਿਟੈਕਸ਼ਨ
ਵੱਖ-ਵੱਖ ਉਦਯੋਗਿਕ ਕੰਟਰੋਲ ਸਿਸਟਮ
