InGaAS-APD ਮੋਡੀਊਲ ਲੜੀ
| ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ (＠Ta＝22±3℃) | |||
| ਮਾਡਲ | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| ਪੈਕੇਜ ਫਾਰਮ | TO-8 | TO-8 | TO-8 |
| ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਸਤਹ ਵਿਆਸ (ਮਿਲੀਮੀਟਰ) | 0.2 | 0.5 | 0.08 |
| ਸਪੈਕਟ੍ਰਲ ਜਵਾਬ ਸੀਮਾ (nm) | 1000~1700 | 1000~1700 | 1000~1700 |
| ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ (V) | 30~70 | 30~70 | 30~70 |
| ਜਵਾਬਦੇਹੀ M=10 l=1550nm(kV/W) | 340 | 340 | 340 |
| ਚੜ੍ਹਨ ਦਾ ਸਮਾਂ (NS) | 5 | 10 | 2.3 |
| ਬੈਂਡਵਿਡਥ (MHz) | 70 | 35 | 150 |
| ਬਰਾਬਰ ਸ਼ੋਰ ਸ਼ਕਤੀ (pW/√Hz) | 0.15 | 0.21 | 0.11 |
| ਵਰਕਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ T=-40℃~85℃(V/℃) | 0.12 | 0.12 | 0.12 |
| ਇਕਾਗਰਤਾ (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| ਦੁਨੀਆ ਭਰ ਵਿੱਚ ਇੱਕੋ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਵਿਕਲਪਿਕ ਮਾਡਲ | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
ਫਰੰਟ ਪਲੇਨ ਚਿੱਪ ਬਣਤਰ
ਤੇਜ਼ ਜਵਾਬ
ਉੱਚ ਖੋਜੀ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ
ਲੇਜ਼ਰ ਰੇਂਜ
ਲਿਡਰ
ਲੇਜ਼ਰ ਚੇਤਾਵਨੀ
ਫਰੰਟ ਪਲੇਨ ਚਿੱਪ ਬਣਤਰ
ਤੇਜ਼ ਜਵਾਬ
ਉੱਚ ਖੋਜੀ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ
ਲੇਜ਼ਰ ਰੇਂਜ
ਲਿਡਰ
ਲੇਜ਼ਰ ਚੇਤਾਵਨੀ
