ਉਤਪਾਦ ਫੈਕਟਰੀ, ਸਪਲਾਇਰ - ਚੀਨ ਉਤਪਾਦ ਨਿਰਮਾਤਾ

InGaAs APD ਮੋਡੀਊਲ

ਇਹ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਵਾਲਾ ਇੰਡੀਅਮ ਗੈਲਿਅਮ ਆਰਸੈਨਾਈਡ ਐਵਲੈਂਚ ਫੋਟੋਡਿਓਡ ਮੋਡੀਊਲ ਹੈ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਣ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਚਾਰ-ਚੌਥਾਈ APD

ਇਸ ਵਿੱਚ Si avalanche photodiode ਦੇ ਚਾਰ ਸਮਾਨ ਯੂਨਿਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ ਜੋ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 980nm ਹੈ।ਜਵਾਬਦੇਹੀ: 1064 nm 'ਤੇ 40 A/W।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਚਾਰ-ਚੌਥਾਈ APD ਮੋਡੀਊਲ

ਇਸ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਦੇ ਨਾਲ Si avalanche photodiode ਦੀਆਂ ਚਾਰ ਸਮਾਨ ਇਕਾਈਆਂ ਹਨ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਕਰੰਟ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਣ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
850nm Si PIN ਮੋਡੀਊਲ

ਇਹ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਵਾਲਾ 850nm Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਮੋਡੀਊਲ ਹੈ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
900nm Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ

ਇਹ Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਹੈ ਜੋ ਉਲਟਾ ਪੱਖਪਾਤ ਅਧੀਨ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 930nm ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
1064nm Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ

ਇਹ Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਹੈ ਜੋ ਉਲਟਾ ਪੱਖਪਾਤ ਅਧੀਨ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 980nm ਹੈ।ਜਵਾਬਦੇਹੀ: 1064 nm 'ਤੇ 0.3A/W।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਫਾਈਬਰ ਸੀ ਪਿੰਨ ਮੋਡੀਊਲ

ਆਪਟੀਕਲ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਆਪਟੀਕਲ ਫਾਈਬਰ ਇਨਪੁਟ ਕਰਕੇ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।Si PIN ਮੋਡੀਊਲ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਦੇ ਨਾਲ ਹੈ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਤਬਦੀਲ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਚਾਰ-ਚਤੁਰਭੁਜ Si PIN

ਇਸ ਵਿੱਚ Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਦੀਆਂ ਚਾਰ ਇੱਕੋ ਜਿਹੀਆਂ ਇਕਾਈਆਂ ਹਨ ਜੋ ਉਲਟਾ ਕੰਮ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ ਅਤੇ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 980nm ਹੈ।ਜਵਾਬਦੇਹੀ: 1064 nm 'ਤੇ 0.5 A/W।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
ਚਾਰ-ਚਤੁਰਭੁਜ Si PIN ਮੋਡੀਊਲ

ਇਸ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੀ-ਐਂਪਲੀਫੀਕੇਸ਼ਨ ਸਰਕਟ ਦੇ ਨਾਲ Si PIN ਫੋਟੋਡਿਓਡ ਦੀਆਂ ਸਿੰਗਲ ਜਾਂ ਦੁੱਗਣੀਆਂ ਚਾਰ ਸਮਾਨ ਇਕਾਈਆਂ ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ ਜੋ ਫੋਟੌਨ-ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ-ਸਿਗਨਲ ਐਂਪਲੀਫਿਕੇਸ਼ਨ ਦੀ ਪਰਿਵਰਤਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਕਮਜ਼ੋਰ ਮੌਜੂਦਾ ਸਿਗਨਲ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਅਤੇ ਵੋਲਟੇਜ ਸਿਗਨਲ ਵਿੱਚ ਬਦਲਣ ਦੇ ਯੋਗ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
UV ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ Si PIN

ਇਹ ਵਿਸਤ੍ਰਿਤ UV ਦੇ ਨਾਲ Si PIN ਫੋਟੋਡੀਓਡ ਹੈ, ਜੋ ਉਲਟਾ ਕੰਮ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ UV ਤੋਂ NIR ਤੱਕ ਉੱਚ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲਤਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।ਸਿਖਰ ਪ੍ਰਤੀਕਿਰਿਆ ਵੇਵ-ਲੰਬਾਈ 800nm ਹੈ।ਜਵਾਬਦੇਹੀ: 340 nm 'ਤੇ 0.15 A/W।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
1064nm YAG ਲੇਜ਼ਰ -15mJ-5

ਇਹ 1064nm ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ, ≥15mJ ਪੀਕ ਪਾਵਰ, 1~5hz (ਅਡਜੱਸਟੇਬਲ) ਪਲਸ ਰੀਪੀਟੇਸ਼ਨ ਰੇਟ ਅਤੇ ≤8mrad ਡਾਇਵਰਜੈਂਸ ਐਂਗਲ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਪੈਸਿਵਲੀ Q-ਸਵਿੱਚਡ Nd: YAG ਲੇਜ਼ਰ ਹੈ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਹ ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਅਤੇ ਹਲਕਾ ਲੇਜ਼ਰ ਹੈ ਅਤੇ ਉੱਚ ਊਰਜਾ ਆਉਟਪੁੱਟ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਹੈ ਜੋ ਕੁਝ ਦ੍ਰਿਸ਼ਾਂ ਲਈ ਦੂਰੀ ਦਾ ਆਦਰਸ਼ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਸਰੋਤ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਵਾਲੀਅਮ ਅਤੇ ਭਾਰ ਲਈ ਸਖ਼ਤ ਲੋੜਾਂ ਹੁੰਦੀਆਂ ਹਨ, ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਵਿਅਕਤੀਗਤ ਲੜਾਈ ਅਤੇ UAV ਕੁਝ ਦ੍ਰਿਸ਼ਾਂ ਵਿੱਚ ਲਾਗੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ
1064nm YAG ਲੇਜ਼ਰ-15mJ-20

ਇਹ 1064nm ਤਰੰਗ-ਲੰਬਾਈ, ≥15mJ ਪੀਕ ਪਾਵਰ ਅਤੇ ≤8mrad ਡਾਇਵਰਜੈਂਸ ਐਂਗਲ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਪੈਸਿਵਲੀ Q-ਸਵਿੱਚਡ Nd：YAG ਲੇਜ਼ਰ ਹੈ।ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇਹ ਇੱਕ ਛੋਟਾ ਅਤੇ ਹਲਕਾ ਲੇਜ਼ਰ ਹੈ ਜੋ ਉੱਚ ਫ੍ਰੀਕੁਐਂਸੀ (20Hz) ਵਿੱਚ ਲੰਬੀ ਦੂਰੀ ਦਾ ਆਦਰਸ਼ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਸਰੋਤ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ।

ਪੜਤਾਲ ਵੇਰਵੇ