800nmAPD ਸਿੰਗਲ ਟਿਊਬ ਲੜੀ
| ਫੋਟੋਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| ਮਾਡਲ | GD5210Y-1-2-T046 | GD5210Y-1-5-T046 | GD5210Y-1-2-LCC3 | GD5210Y-1-5 -LCC3 | |
| ਪੈਕੇਜ ਫਾਰਮ | TO-46 | TO-46 | LCC3 | LCC3 | |
| ਪ੍ਰਕਾਸ਼ ਸੰਵੇਦਨਸ਼ੀਲ ਸਤਹ ਵਿਆਸ (ਮਿਲੀਮੀਟਰ) | 0.23 | 0.50 | 0.23 | 0.50 | |
| ਸਪੈਕਟ੍ਰਲ ਜਵਾਬ ਸੀਮਾ (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | |
| ਪੀਕ ਜਵਾਬ ਤਰੰਗ ਲੰਬਾਈ (nm) | 800 | 800 | 800 | 800 | |
| λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W) | 55 | 55 | 55 | 55 | |
| ਹਨੇਰਾ ਕਰੰਟ | ਆਮ | 0.05 | 0.10 | 0.05 | 0.10 |
| M=100(nA) | ਅਧਿਕਤਮ | 0.2 | 0.4 | 0.2 | 0.4 |
| ਜਵਾਬ ਸਮਾਂ λ=800nm R1=50Ω(ns) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| ਵਰਕਿੰਗ ਵੋਲਟੇਜ ਤਾਪਮਾਨ ਗੁਣਾਂਕ T=-40℃~85℃(V/℃) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
| ਕੁੱਲ ਸਮਰੱਥਾ M=100 f=1MHz(pF) | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 3.0 | |
| ਬਰੇਕਡਾਊਨ ਵੋਲਟੇਜ IR=10μA(V) | ਘੱਟੋ-ਘੱਟ | 80 | 80 | 80 | 80 |
| ਅਧਿਕਤਮ | 160 | 160 | 160 | 160 | |
ਫਰੰਟ ਪਲੇਨ ਚਿੱਪ ਬਣਤਰ
ਹਾਈ ਸਪੀਡ ਜਵਾਬ
ਉੱਚ ਲਾਭ
ਘੱਟ ਜੰਕਸ਼ਨ ਸਮਰੱਥਾ
ਘੱਟ ਰੌਲਾ
ਲੇਜ਼ਰ ਰੇਂਜ
ਲਿਡਰ
ਲੇਜ਼ਰ ਚੇਤਾਵਨੀ
